特許
J-GLOBAL ID：200903047694211404

半導体装置の製造方法

発明者：
植田 慶一

植田 慶一 について

, 
柴田 清司

柴田 清司 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-256317
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106922
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 優れた反射防止特性を有した反射防止膜を得て、フォトリソグラフィ技術の精度を高めることができる。【解決手段】 シリコン基板1上にゲート酸化膜2を介してポリシリコン膜3及びタングステンシリサイド膜4を形成し、その上に、シリコン酸化膜5を形成し、フォトレジスト膜を塗布した後、このフォトレジスト膜にリンイオンを注入して改質レジスト膜7を形成する、この改質レジスト膜7は、光吸収率が高く、優れた反射防止効果を有する。
請求項（抜粋）：
被エッチング膜上に直接又は透光性膜を介して反射防止予備膜を形成し、この反射防止予備膜に、運動エネルギーを有する不純物を導入することにより反射防止膜を形成することを特徴とした半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/312
FI (3件)：
H01L 21/30 574 ,  H01L 21/312 D ,  H01L 21/265 W
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 特開昭58-151024
  • 特開昭60-160616
  • パターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-013565   出願人：日本電気株式会社
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