特許
J-GLOBAL ID：200903047695980681
半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
井上 一
, 布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-241827
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079951
出願日： 2002年08月22日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】生産性及び歩留まりを向上させるとともに、半導体基板をほぼ同じ厚みに研削することにある。【解決手段】第1の領域20と第1の領域20の周辺の第2の領域30とを有する半導体基板10に、第1の領域20の上方に突起する凸部40を形成する。支持体60を、第1の領域20に重なる部分が貫通穴61となるように、半導体基板10の凸部40が形成された面に設ける。半導体基板10の凸部40が形成された面とは反対の面から、半導体基板10を研削する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
第1の領域と前記第1の領域の周辺の第2の領域とを有する半導体基板に、前記第1の領域の上方に突起する凸部を形成し、
前記第2の領域に重なる部分のほうが、前記第1の領域に重なる部分よりも厚い支持体を、前記半導体基板の前記凸部が形成された面に設け、
前記半導体基板の前記凸部が形成された面とは反対の面から、前記半導体基板を研削することを含む半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/304 631
, H01L21/304 622J
