特許
J-GLOBAL ID：200903047731994554
スパッタリング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-155980
公開番号（公開出願番号）：特開平10-330932
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年12月15日
要約：
【要約】【課題】 アスペクト比4以上のホールの内面にボトムカバレッジ率よく成膜を行えるようにする。【解決手段】 チタン等の金属製のターゲット2をスパッタして基板50に所定の薄膜を作成するスパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入手段4は、ターゲット2から放出されるスパッタ粒子に反応して、ホール500の側面501に対する付着性がスパッタ粒子単体の場合よりもより低く且つホール500の底面502において解離可能な化合物を生成する水素等の反応性ガスを導入することが可能である。狭いホール500の底面502まで効率よくスパッタ粒子が到達できるので、ホール500の底面502での膜堆積が促進され、ボトムカバレッジ率が向上する。
請求項（抜粋）：
排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に設けられた金属製のターゲットと、スパッタ放電を生じさせてターゲットをスパッタするスパッタ電源と、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入手段と、スパッタ粒子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、前記ガス導入手段は、ターゲットから放出されるスパッタ粒子に反応して、基板の特定領域に対する付着性が当該スパッタ粒子単体の場合よりもより低く且つ基板の他の領域において解離可能な化合物を生成する反応性ガスを導入することが可能に構成されていることを特徴とするスパッタリング装置。
引用特許：
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