特許
J-GLOBAL ID：200903047769762908
成膜方法およびこれに用いるプラズマ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-016562
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226378
出願日： 1994年02月10日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 高密度プラズマを用いたTi系材料膜のCVDにおいて、カバレージと膜質を改善する。【構成】 ヘリコン波プラズマ装置のベルジャ1を窒化シリコンを用いて構成し、この装置内でTiCl4 /H2 混合ガス、およびTiCl4 /H2 /N2 混合ガスを用いてTi/TiN積層膜を連続成膜する。【効果】 上記装置はウェハW近傍の磁場がECR装置と比べて弱いため、Ti/TiN積層膜のカバレージが均一となる。また、窒化シリコンからなるベルジャ1からは従来の石英と異なり、器壁からプラズマ中へ酸素が放出されないので混合ガス中のH2 が消費されない。さらにヘリコン波プラズマPH の高い放電解離効率の寄与が加わり、TiCl4 の未解離成分や未反応成分の発生、およびこれらの膜中への取り込みが減少し、塩素の拡散による配線の信頼性低下を防止できる。
請求項（抜粋）：
高真空容器内でプラズマCVDを行うことにより基板上に所定の材料膜を成膜する成膜方法において、成膜時の前記基板近傍を弱磁場ないし実質的な無磁場とする条件下で前記プラズマCVDを行う成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/28 301
, H01L 21/31
