特許

J-GLOBAL ID：200903047789139859

半導体装置の製造方法

発明者： 野口 純司 ,  今井 俊則 ,  丸山 裕之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-126995
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324837
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】 SiOC膜の比誘電率を上昇させることなく、銅ダマシン配線を形成することのできる技術を提供する。【解決手段】 配線形成用の絶縁膜22を構成するSiOC膜の表面に10〜50nm程度の厚さのシリコン酸化膜23を形成した後、絶縁膜22に配線溝を形成するためのフォトレジスト膜24をシリコン酸化膜23上に形成することによって、SiOC膜の比誘電率の上昇を抑える。

請求項（抜粋）：

カーボンを含有するシリコン酸化膜の表面に10〜50nm程度のシリコン酸化膜を形成した後、前記シリコン酸化膜上にレジストを塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (33件)：

5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK19 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX24

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-108213   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-253769   出願人：ソニー株式会社
• 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-000627   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-361106   出願人：三菱電機株式会社