特許
J-GLOBAL ID：200903047846731450

光集積デバイス及びその作製方法

発明者：
黒部 立郎

黒部 立郎 について

, 
池田 成明

池田 成明 について

, 
田村 修一

田村 修一 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-259485
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069136
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 それぞれ、共通の基板上に、量子井戸構造からなる活性層を備える第1及び第2の半導体光素子をバットジョイント方式により結合させてなる光集積デバイスであって、良好な特性を有する光集積デバイスを提供する。【解決手段】 本光集積デバイス50は、DFBレーザ14の活性構造26を含む積層構造が、EA変調器16の吸収構造38を含む積層構造にバットジョイントされていること(図の丸内に示すように)、DFBレーザ14のn-InP下部クラッド層18とEA変調器16のn-InP下部クラッド層36とが共通であること、及びEA変調器16の活性構造38とn-InP下部クラッド層36との間にGaInAsP回折格子層19及びn-InPキャップ層22が設けてあることを除いて、従来の光集積デバイスと同じ構成を備えている。
請求項（抜粋）：
それぞれ、共通の基板上に量子井戸構造からなる活性層を備え、第1の半導体光素子の量子井戸構造の井戸数が第2の半導体光素子の量子井戸構造の井戸数より多い第1及び第2の半導体光素子を突き合わせ接合(バットジョイント)方式により結合させた光集積デバイスにおいて、第2の半導体光素子の活性層が、第1の半導体光素子の活性層にバットジョイントされていることを特徴とする光集積デバイス。
IPC (3件)：
H01S 5/026 616 ,  G02F 1/017 503 ,  H01S 5/343
FI (3件)：
H01S 5/026 616 ,  G02F 1/017 503 ,  H01S 5/343
Fターム (18件)：
2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA21 ,  5F073AA64 ,  5F073AA72 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB12 ,  5F073AB22 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA21
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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