特許

J-GLOBAL ID：200903047866709396

処理装置

発明者： 後藤 俊夫 ,  堀 勝 ,  石井 信雄
出願人/特許権者： 後藤 俊夫 ,  堀 勝 ,  東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-301371
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072347
出願日： 2003年08月26日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】プロセスの再現性が悪い。【解決手段】被処理体Wを載置するサセプタ2と、サセプタ2が収容される処理容器1の内部にプラズマ、ラジカル、荷電粒子の少なくとも1つを供給する粒子供給手段20と、処理容器1の内部におけるプラズマ、ラジカル、荷電粒子の少なくとも1つの状態を検出し、その検出結果に基づき粒子供給手段を制御する粒子状態検出制御手段30,35とを備える。また、粒子供給手段20は、複数の電極が積層された積層体に、電極のすべてを貫通する第1の貫通孔が形成され、互いに対向する電極対への電圧印加により第1の貫通孔の内部でマイクロカソード放電が生じるホローカソード電極部材21と、第1の貫通孔へガスを供給するガス供給手段22とを有する。また、粒子状態検出制御手段30,35は、電極対へ印加する電圧および第1の貫通孔へ供給するガスの少なくとも1つを制御する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被処理体を載置するサセプタと、 このサセプタが収容される処理容器の内部にプラズマ、ラジカル、荷電粒子の少なくとも1つを供給する粒子供給手段と、 前記処理容器の内部におけるプラズマ、ラジカル、荷電粒子の少なくとも1つの状態を検出し、その検出結果に基づき前記粒子供給手段を制御する粒子状態検出制御手段とを備え、 前記粒子供給手段は、 複数の電極が積層された積層体に、前記電極のすべてを貫通する第1の貫通孔が形成され、互いに対向する電極対への電圧印加により前記第1の貫通孔の内部でホローカソード放電が生じるホローカソード電極部材と、 前記第1の貫通孔へガスを供給するガス供給手段とを有し、 前記粒子状態検出制御手段は、前記電極対へ印加する電圧および前記第1の貫通孔へ供給するガスの少なくとも1つを制御する ことを特徴とする処理装置。

IPC (6件)：

H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46

FI (6件)：

H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23F4/00 A ,  H05H1/00 A ,  H05H1/46 M ,  H01L21/302 103

Fターム (39件)：

4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  4K030JA03 ,  4K030JA20 ,  4K030KA15 ,  4K030KA17 ,  4K030KA41 ,  4K057DA16 ,  4K057DA20 ,  4K057DD01 ,  4K057DJ07 ,  4K057DM02 ,  5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB22 ,  5F004BB29 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004CB09 ,  5F004CB16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD08 ,  5F045EF05 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19 ,  5F045EM05 ,  5F045GB08 ,  5F045GB17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• エッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-310279   出願人：株式会社日立製作所, 東京エレクトロン山梨株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-222132   出願人：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩