特許
J-GLOBAL ID：200903047897068640
多層配線基板
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-271886
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086954
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 高密度実装されかつ高速で動作する半導体素子を搭載する多層配線基板において、同時スイッチングノイズが増大し、不良品が発生する。【解決手段】 複数の絶縁層2a〜2eと配線層4〜6とが順次積層されて成る絶縁基板2の上面に半導体素子9の接続用電極8が、下面に半導体素子9に電源供給するための外部電極7が設けられ、内部に配線層4〜6,23に設けられた開口部21を貫通して複数の貫通導体20が形成されており、隣接する開口部21の平面形状および貫通導体20の断面形状がそれぞれ楕円形状であるとともに、これら開口部21および貫通導体20を楕円形状の短径方向に並べて配列した多層配線基板である。開口部21間において配線層4〜6,23の電流経路22を確保できることからインダクタンス成分を低減することができるとともに、貫通導体20と開口部21を介した配線層23との隙間を大きくできる。
請求項（抜粋）：
複数の絶縁層と配線層とが順次積層されて成る絶縁基板の上面に半導体素子の電極が接続される接続用電極が、下面に前記半導体素子に電源供給するための外部電極が設けられ、内部に前記配線層に設けられた開口部を貫通してその上下の前記配線層同士を電気的に接続する複数の貫通導体が形成された多層配線基板であって、隣接する前記開口部の平面形状およびこの開口部を貫通する貫通導体の断面形状がそれぞれ楕円形状であるとともに、これら開口部および貫通導体が前記楕円形状の短径方向に並んで配列されていることを特徴とする多層配線基板。
FI (2件)：
Fターム (16件)：
5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA43
, 5E346BB02
, 5E346BB03
, 5E346BB16
, 5E346CC16
, 5E346CC17
, 5E346CC19
, 5E346DD13
, 5E346DD16
, 5E346DD17
, 5E346EE24
, 5E346EE29
, 5E346HH01
, 5E346HH04
引用特許：
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