特許
J-GLOBAL ID：200903047899898046
プラズマCVD薄膜製造装置及び製膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181619
公開番号（公開出願番号）：特開2001-011639
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
要約：
【要約】【課題】製膜速度に寄らず均一な膜分布を得ることを課題とする。【解決手段】真空容器31と、この真空容器31内にガスを導入するガス導入管41と、前記真空容器31内を排気する排気管42と、前記真空容器31内に配置され、基板38を支持する基板加熱用ヒータ32と、前記真空容器31内に前記基板38と対向するように配置された放電用電極34と、この放電用電極34に接続された電源切り替え器37と、この電源切り替え器37に接続された周波数の異なる2台以上の放電用電源35a,35bと、前記基板加熱用ヒータ32と放電用電極35a,35b間に配置され製膜表面ヒータ40とを具備することを特徴とするプラズマCVD薄膜製造装置。
請求項（抜粋）：
真空容器と、この真空容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空容器内を排気する排気手段と、前記真空容器内に配置され、基板を支持する基板加熱用ヒータと、前記真空容器内に前記基板と対向するように配置された放電用電極と、この放電用電極に接続された電源切り替え器と、この電源切り替え器に接続された周波数の異なる2台以上の放電用電源と、前記基板加熱用ヒータと放電用電極間に配置された製膜表面ヒータとを具備することを特徴とするプラズマCVD薄膜製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 16/50 D
, H01L 31/04 V
4K030BA30
, 4K030FA03
, 4K030JA11
, 4K030JA18
, 4K030KA24
, 4K030KA30
, 4K030KA41
, 4K030LA16
, 5F051AA05
, 5F051BA05
, 5F051CA15
, 5F051CA21
, 5F051CA23
, 5F051CA24
, 5F051CA27
