特許
J-GLOBAL ID：200903097079355827
非晶質シリコン太陽電池の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231066
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074550
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】太陽電池の短絡電流の増大とともに開放電圧の増大を図ることを課題とする。【解決手段】反応容器内に基板をセットする基板加熱用ヒータと放電用電極を対向して配置するとともに、前記基板加熱用ヒータと放電用電極間にラジカル加熱ヒータを配置したプラズマ化学蒸着装置を用いて、p層13とi層15とn層16を順次積層したpin接合タイプの非晶質シリコン太陽電池を製造する方法において、少なくともシラン、メタンあるいはエチレンなどの炭化水素ガス、水素及びジボランを原料ガスとしてプラズマ化学蒸着法によりp層13を形成するとともに、高周波電源の周波数を30MHz以上としたことを特徴とする非晶質シリコン太陽電池の製造方法。
請求項（抜粋）：
反応容器内に基板をセットする基板加熱用ヒータと放電用電極を対向して配置するとともに、前記基板加熱用ヒータと放電用電極間にラジカル加熱ヒータを配置したプラズマ化学蒸着装置を用いて、p層、i層及びn層を順次積層したpin接合タイプの非晶質シリコン太陽電池を製造する方法において、少なくともシラン、メタンあるいはエチレンなどの炭化水素ガス、水素及びジボランを原料ガスとしてプラズマ化学蒸着法によりp層を形成するとともに、高周波電源の周波数を30MHz以上としたことを特徴とする非晶質シリコン太陽電池の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 31/04
, C23C 16/50
, C23C 28/00
, H01L 21/205
H01L 31/04 V
, C23C 16/50
, C23C 28/00 A
, H01L 21/205
