特許
J-GLOBAL ID:200903047904079687

新規ポリマー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 平井 順二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-360046
公開番号(公開出願番号):特開平11-269230
出願日: 1995年02月14日
公開日(公表日): 1999年10月05日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】300 nm以下の光源、例えば遠紫外光に対して極めて高い解像性能を有し、且つ時間経過に対して安定したパターン寸法が維持可能な、ミクロンオーダーの形状の良い微細パターンが容易に得られるレジスト材料を提供する。【解決手段】一般式[1][式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、R2及びR3は夫々独立して水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状又は分枝状のハロアルキル基、又はフェニル基を表し、また、R2とR3で炭素数2〜5のメチレン鎖を形成していても良く、R4は炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基等を表し、R5は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基等を表し、k、r及びmは夫々独立して自然数を表す。]で示されるポリマー。
請求項(抜粋):
一般式[1]【化1】[式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、R2及びR3は夫々独立して水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状又は分枝状のハロアルキル基、又はフェニル基を表し(但し、R2及びR3が共に水素原子の場合は除く。)、また、R2とR3で炭素数2〜5のメチレン鎖を形成していても良く、R4は炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基、アセチル基、又はアラルキル基を表し、R5は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルコキシ基、テトラヒドロピラニルオキシ基、テトラヒドロフラニルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルメトキシ基、又はアセチルオキシ基を表し、k、r及びmは夫々独立して自然数を表す(但し、0.10≦(k+m)/(k+r+m)≦0.90で且つ0.01≦m/(k+r+m)≦0.25である。]で示されるポリマー。
IPC (4件):
C08F212/06 ,  C08F212/14 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (4件):
C08F212/06 ,  C08F212/14 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許:
審査官引用 (2件)

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