特許
J-GLOBAL ID：200903047917131190

不揮発性メモリ誤消去,誤書込み防止回路及び方法

発明者：
斉藤 敏之

斉藤 敏之 について

, 
福成 辰博

福成 辰博 について

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太田 慎也

太田 慎也 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-168947
公開番号（公開出願番号）：特開2002-366436
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】不揮発性メモリの誤消去・誤書き込みを防止する。【解決手段】メモリブロック毎に書替え可能な不揮発性メモリを有する回路またはシステムにおいて,保護エリア(アドレス)指定部,保護解除信号判定部,#WE(ライト・イネーブル)制御判定部を備え,不揮発性メモリへの#WE(ライト・イネーブル)信号を制御し,プログラムの誤動作などによる不揮発性メモリデータの誤消去や誤書き込みを防止する。【効果】保護非解除状態において保護エリアに消去や書き込みを実施しても#WE制御を抑制する構成を取っている為,プログラムが誤動作しても保護エリアの誤消去や誤書き込みを防止する事が可能である。
請求項（抜粋）：
複数のメモリブロックを有し,メモリブロック毎に電気的に書き替え可能な不揮発性メモリに対する誤消去・誤書き込みを防止する回路において,前記不揮発性メモリに対する読み出し/書き込み制御部と,前記誤消去・誤書き込みを防止し保護するメモリエリアを指定する保護エリア指定部と,保護解除信号を判定する保護解除判定部と,前記保護解除判定部の出力と前記保護エリア指定部の出力と読み出し/書き込み制御部出力の#WE(ライト・イネーブル)制御信号と同出力のアドレス制御信号とから不揮発性メモリへの#WE制御信号を判定する#WE制御判定部を備え,保護非解除状態のときに保護エリア指定部にて指定されたメモリエリアに対し消去や書き込みを実施しても不揮発性メモリに対する#WE端子制御を抑制する手段と、保護解除状態においては,同メモリエリアに対し消去や書き込みを可とする手段とを設け、保護非解除状態において消去や書き込みを禁止し,保護解除状態において前記メモリエリアに対し消去や書き込みを可とする事を特徴とする不揮発性メモリ誤書き込み防止回路。
IPC (2件)：
G06F 12/14 310 ,  G11C 16/02
FI (2件)：
G06F 12/14 310 D ,  G11C 17/00 601 P
Fターム (7件)：
5B017AA02 ,  5B017AA04 ,  5B017BA01 ,  5B017CA11 ,  5B025AD01 ,  5B025AD14 ,  5B025AE08
引用特許：
審査官引用 (2件)

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