特許
J-GLOBAL ID：200903047931504667

半導体製造装置

発明者：
東 清一郎

東 清一郎 について

, 
鮫島 俊之

鮫島 俊之 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084775
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277451
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 レーザー結晶化でpoly-Si膜質のバラツキをおさえ、更に高いスループットを持つ半導体製造装置をあたえる。【解決手段】 基板(701)と光の相対位置を変化させながら基板(701)上の半導体に光を照射する半導体製造装置において、基板(701)上にフォトリソグラフィーを用いて作製されたパターン(704)を用いて該基板(701)の位置検出をおこなうため,プローブレーザー(712)から出射されるプローブレーザー光およびその反射光センサー(715)を具備する。
請求項（抜粋）：
基板と光の相対位置を変化させながら基板上の半導体に光を照射する半導体製造装置において、該基板の位置検出をおこなうためのプローブレーザー光およびその反射光センサーを具備することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/268 ,  H01L 21/20
FI (3件)：
H01L 21/268 G ,  H01L 21/268 J ,  H01L 21/20
Fターム (11件)：
5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA15 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052EA11 ,  5F052JA01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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