特許
J-GLOBAL ID：200903047963021641

エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

発明者：
ブラッフズ、ジェレミー、ヘンリー

ブラッフズ、ジェレミー、ヘンリー について

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フレンド、リチャード、ヘンリー

フレンド、リチャード、ヘンリー について

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ブライト、クリストファー、ジョーン

ブライト、クリストファー、ジョーン について

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レイシー、デイビッド、ジョーン

レイシー、デイビッド、ジョーン について

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デヴィン、ピーター

デヴィン、ピーター について


出願人/特許権者：
ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド

ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド について


代理人 (2件)： 千葉 剛宏 ,  宮寺 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-098825
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247313
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】タイプIIの半導体界面を有する物質が発光層に含まれるにも関わらず高い発光効率を示すエレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】エレクトロルミネッセンス素子は、正電荷キャリアを注入するための第1電荷キャリア注入層と、負電荷キャリアを注入するための第2電荷キャリア注入層と、電荷キャリア注入層の間に位置するとともに、第1電荷キャリア注入層から正電荷キャリアを受け取る第1成分、第2電荷キャリア注入層から負電荷キャリアを受け取る第2成分、および第1および第2成分からの電荷キャリアが結合することにより光を発生する有機発光成分である第3成分の混合物を含有する発光層とを備える。第1、第2および第3成分の少なくとも1つは、他の第1、第2および第3成分とタイプIIの半導体界面を形成する。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
正電荷キャリアを注入するための第1電荷キャリア注入層と、 負電荷キャリアを注入するための第2電荷キャリア注入層と、 電荷キャリア注入層の間に位置するとともに、 第1電荷キャリア注入層から正電荷キャリアを受け取る第1成分と、第2電荷キャリア注入層から負電荷キャリアを受け取る第2成分と、第1および第2成分からの電荷キャリアが結合することにより光を発生する有機発光成分である第3成分との混合物を含有する発光層と、 を備え、 第1、第2および第3成分の少なくとも1つが他の第1、第2および第3成分とタイプIIの半導体界面を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
IPC (2件)：
H05B33/14 ,  H05B33/10
FI (2件)：
H05B33/14 B ,  H05B33/10
Fターム (4件)：
3K007AB03 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (18件)
  • 特開平4-212286
  • 特開平4-212286
  • 特開平4-212286
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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