特許

J-GLOBAL ID：200903048037303141

窒化物半導体発光素子

発明者： 京野 孝史 ,  秋田 勝史 ,  善積 祐介
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-303037
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115753
出願日： 2005年10月18日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】注入される電流の電流密度に対する発光効率の依存性を調整可能にする構造を有する窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体発光素子11では、発光領域17は、量子井戸構造19を有しており、n型窒化ガリウム系半導体領域13とp型窒化ガリウム系半導体領域15との間に位置する。量子井戸構造19は、InXGa1-XNからなる複数の第1の井戸層21、InYGa1-YNからなる一または複数の第2の井戸層23、およびバリア層25を含む。第1および第2の井戸層21、23とバリア層25とは交互の配列されている。第2の井戸層23は、第1の井戸層21とp型窒化ガリウム系半導体領域15との間に位置している。第2の井戸層23のインジウム組成Yは第1の井戸層21のインジウム組成Xより小さく、また第2の井戸層23の厚さDW2は第1の井戸層21の厚さDW1より厚い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型窒化ガリウム系半導体領域と、 p型窒化ガリウム系半導体領域と、 前記n型窒化ガリウム系半導体領域と前記p型窒化ガリウム系半導体領域との間に設けられた量子井戸構造を有する発光領域と を備え、 前記量子井戸構造は、InXGa1-XNからなる複数の第1の井戸層、InYGa1-YNからなる一または複数の第2の井戸層、およびInZGa1-ZN(0≦Z<1、Z<X、Z<Y)からなるバリア層を含み、 前記第2の井戸層の厚さは前記第1の井戸層の厚さより厚く、 前記バリア層と前記第1および第2の井戸層とは交互に配列されており、 前記第1の井戸層の発光波長は、当該窒化物半導体素子へ印加される電流の電流密度のある値において前記第2の井戸層の発光波長と略等しい、ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (4件)：

5F041AA08 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA58

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-188371   出願人：豊田合成株式会社
• 多波長発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-375326   出願人：三菱電線工業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-020347   出願人：独立行政法人理化学研究所

審査官引用 (2件)

• 多波長発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-375326   出願人：三菱電線工業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-020347   出願人：独立行政法人理化学研究所