エピタキシャルリアクタのパーティクルを低減するためのシステムおよび方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三枝英二 (外8名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-559270
公開番号（公開出願番号）：特表2002-520832
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2002年07月09日
要約：

【要約】リアクタにあるパーティクルを低減させるための装置および方法。装置(10)には、半導体ウェーハを処理するためのエンクロージャが含まれている。エンクロージャは、隔離用仕切弁(18)により処理チャンバ(20)に接続されたウェーハ取扱チャンバ(16)を有する。さらに、装置には、パージガスをウェーハ取扱チャンバ(16)に分配するためのパイプ(24、26)と、エンクロージャ内に入るパージガスから乱れを低減させるためにエンクロージャからのパージガスの配送および除去を調節するためのパイロット作動式背圧レギュレータ(40)と、単一ウェーハを持ち上げ保持するための流量調節ベルヌーイワンド(36)と、パージされたガス分子をイオン化するためにウェーハ取扱チャンバとロードロックに入るパージガスラインにあるイオナイザ(21a〜21d)であってイオン化されたガスが半導体装置内の静電気をすべて放電してウェーハに荷電粒子を引き付けないようにするイオナイザと、リアクタ内の弁を切り換えるときにガス流れの乱流を低減させるための手段とが含まれる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを処理するためのリアクタチャンバと、半導体ウェーハを前記リアクタチャンバとの間で装填および除去するための輸送手段を有するウェーハ輸送チャンバと、前記ウェーハ輸送チャンバにガスを送出するように動作可能に接続されたガス送出システムと、前記ウェーハ輸送チャンバに放出する前にガスを調節するためのイオン化手段とを備えることを特徴とする半導体ウェーハ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 F , H01L 21/68 A

Fターム (29件)：

4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA03 , 4K030GA12 , 4K030KA11 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 5F031CA02 , 5F031FA01 , 5F031FA07 , 5F031FA11 , 5F031FA12 , 5F031GA28 , 5F031GA44 , 5F031GA47 , 5F031HA59 , 5F031JA10 , 5F031JA47 , 5F031MA28 , 5F031NA04 , 5F031NA07 , 5F031NA16 , 5F031PA21 , 5F045AC15 , 5F045BB15 , 5F045DP03 , 5F045EB08 , 5F045EN04 , 5F045EN05

引用特許：

審査官引用 (5件)

処理装置内の被処理体の搬送方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-021932 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-083260 出願人：九州日本電気株式会社
弁装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-323349 出願人：東京瓦斯株式会社, トキコ株式会社

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