特許

J-GLOBAL ID：200903048070279272

別のウェハと接合するための半導体ウェハ表面の調製

発明者： モナン チュソ,コリーヌ ,  マルヴィル,クリストフ ,  モリソー,ユベール ,  スビ,アラン
出願人/特許権者： エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース ,  コミッサリア ア レネルジ アトミック
代理人 (1件)： 太田 恵一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-505672
公開番号（公開出願番号）：特表2007-533123
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

本発明は、別のウェハと接合するためにウェハの酸化表面を調製する方法であって、酸化表面には原子種が注入され、NH4OHとH2O2を使用して酸化表面を洗浄する第1ステップと、塩化水素種(HCl)を使用して洗浄する第2ステップとを含み、第1ステップは、約10Å〜約120Åでエッチングするように実行され、第2ステップは、約10分間またはそれ以内の間、約50°C以下の選択された温度で実行される。

請求項（抜粋）：

別のウェハと接合するためにウェハの酸化表面を調製する方法であって、酸化表面は原子種の注入を受け、方法は、NH4OHとH2O2を使用することによって酸化表面を洗浄する第1ステップと、塩化水素種(HCl)を使用することによって洗浄する第2ステップと、を含み、第1ステップが、約10Åから約120Åまでエッチングされるように実行され、第2ステップが、約10分未満の持続時間で約50°Cを下回る選択温度で実行される、酸化ウェハ表面の調製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/306 D ,  H01L27/12 B ,  H01L21/304 647Z

Fターム (19件)：

5F043AA31 ,  5F043AA32 ,  5F043BB22 ,  5F043GG10 ,  5F157AA29 ,  5F157AA46 ,  5F157AA73 ,  5F157AC01 ,  5F157BC03 ,  5F157BC07 ,  5F157BC12 ,  5F157BC53 ,  5F157BC65 ,  5F157BE23 ,  5F157BE33 ,  5F157BE44 ,  5F157CE04 ,  5F157DA21 ,  5F157DB18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 欧州特許第0971396号明細書
  

審査官引用 (2件)

• 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-195955   出願人：信越半導体株式会社
• 熱処理前のクリーニング法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217273   出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド