半導体発光装置および半導体基板

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-162026
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345508
出願日： 2000年05月31日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】発光素子の高速応答性および受光効率を向上させる。【解決手段】 {100}面から[011]方向に約10°傾斜した面を主面とするシリコン単結晶基板5と、その上部に積層された絶縁層であるシリコン酸化膜層4と、シリコン酸化膜層4の上部に積層された{100}面を主面とするN型シリコン単結晶基板1よりなる。シリコン単結晶基板5まで到達する凹部の底面に半導体レーザ素子10が配置されている。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された半導体層とを有し、前記基板の上には半導体発光素子が載置され、前記半導体層には電子素子が形成された半導体発光装置。

IPC (5件)：

H01S 5/026 , G11B 7/125 , G11B 7/13 , H01L 33/00 , H01S 5/022

FI (5件)：

H01S 5/026 , G11B 7/125 A , G11B 7/13 , H01L 33/00 N , H01S 5/022

Fターム (30件)：

5D119AA01 , 5D119AA05 , 5D119AA10 , 5D119AA41 , 5D119BA01 , 5D119BB01 , 5D119CA10 , 5D119DA05 , 5D119EA02 , 5D119EA03 , 5D119EC45 , 5D119EC47 , 5D119FA08 , 5D119JA57 , 5D119JA64 , 5D119KA02 , 5D119KA19 , 5D119KA43 , 5D119LB07 , 5F041AA33 , 5F041CB32 , 5F041DA19 , 5F041DA32 , 5F041DA36 , 5F041EE23 , 5F073AB14 , 5F073BA04 , 5F073DA22 , 5F073EA14 , 5F073FA13

引用特許：

審査官引用 (5件)

光アセンブリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-221433 出願人：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社, 日立東部セミコンダクタ株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-281598 出願人：株式会社日立製作所
光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-105600 出願人：日本電気株式会社

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