特許
J-GLOBAL ID：200903083026293527
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-281598
公開番号（公開出願番号）：特開平9-127352
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】Si素子と化合物半導体素子が集積された、実用的かつ高性能の集積化素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】Si基板上の一部に、直接接着法によって、半導体素子が形成されてあるSi膜を、Si酸化膜を介して作製し、上記Si基板上の他の部分上に、化合物半導体素子を直接接着により作製し、Si素子と化合物半導体素子を一体化して集積する。【効果】Si基板、Si素子および化合物半導体素子の面方位を、それぞれ独立して決めることができ、高い機能を有する各種集積化素子を、高い歩留まりで容易に形成できる。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコンからなる半導体基板の表面の第1の領域上に、絶縁膜を介して形成された単結晶シリコンからなる第1の半導体層と、上記半導体基板の上記第1の領域とは異なる第2の領域上に形成された、単結晶化合物半導体からなる第2の半導体層を少なくとも具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
G02B 6/13
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01S 3/18
, H01L 27/15
G02B 6/12 M
, H01L 27/12 B
, H01S 3/18
, H01L 27/15 B
, H01L 29/78 613 Z
