特許
J-GLOBAL ID：200903048114678447

塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
渡辺 武

渡辺 武 について

, 
金生 剛

金生 剛 について

, 
長谷川 幸士

長谷川 幸士 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (3件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-142853
公開番号（公開出願番号）：特開2004-347738
出願日： 2003年05月21日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【解決手段】式(1)で示されるベンズイミダゾール骨格及び極性官能基を有する塩基性化合物含有することを特徴とするレジスト材料。【化1】(R1は水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。R2は炭素数1〜20の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としてエステル基、アセタール基又はシアノ基を一つ以上含み、その他に水酸基、カルボニル基、エーテル基、スルフィド基又はカーボネート基を一つ以上含んでいてもよい。)【効果】本発明のレジスト材料は、解像性、フォーカスマージンに優れ、電子線や遠紫外線を用いた微細加工に有用である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示されるベンズイミダゾール骨格及び極性官能基を有する塩基性化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とするレジスト材料。
IPC (8件)：
G03F7/004 ,  C07D235/12 ,  C07D235/16 ,  C07D405/06 ,  C09K3/00 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (8件)：
G03F7/004 501 ,  C07D235/12 ,  C07D235/16 ,  C07D405/06 ,  C09K3/00 K ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (23件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC03 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB42 ,  2H025CC03 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4C063AA01 ,  4C063BB03 ,  4C063CC81 ,  4C063DD26 ,  4C063EE10
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (2件)

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