金属酸化物の構造体

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：清水猛 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254692
公開番号（公開出願番号）：特開2000-067740
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【解決手段】金属酸化物からなる、突起物を有する基材の表面の一部または全部が導電性物質で覆われており、突起物の先端が1種類以上の易電子放出物質で覆われている構造体であり、好ましくは、突起物が、基材上の10μm×10μmの面積当たり0.01〜10000個の密度で存在する構造体。特に冷陰極素子用途に最適である構造体。【効果】本発明の構造体は、小さな電界で電子放出電流値を大きくすることができ、特に冷陰極素子用途に好ましく用いられる。

請求項（抜粋）：

金属酸化物からなる、突起物を有する基材の表面の一部または全部が導電性物質で覆われており、突起物の先端が1種類以上の易電子放出物質で覆われている構造体。

IPC (4件)：

H01J 1/304 , B32B 3/30 , B32B 18/00 , H01J 9/02

FI (4件)：

H01J 1/30 F , B32B 3/30 , B32B 18/00 , H01J 9/02 F

Fターム (25件)：

4F100AA17A , 4F100AA18C , 4F100AA19 , 4F100AA37 , 4F100AB02C , 4F100AB04C , 4F100AB16C , 4F100AR00B , 4F100AS00C , 4F100AT00A , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100DC30C , 4F100DD03A , 4F100GB41 , 4F100JA11A , 4F100JG01B , 4F100JG10 , 4F100YY00A , 5C027AA03 , 5C027AA10 , 5C027BB02

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-087233
電界放出カソードおよびこれに基くデバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-505684 出願人：ギヴァルギゾフ,エフゲニー・インヴィエヴィチ, ジルノフ,ヴィクトル・ウラジミロヴィチ, ステパノヴァ,アラ・ニコラエフナ, オボレンスカヤ,リジヤ・ニコラエフナ
冷陰極素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-124140 出願人：富士電機株式会社

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