特許
J-GLOBAL ID：200903048143886075
力検知素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-099683
公開番号（公開出願番号）：特開平8-271363
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 十分な圧縮破壊強度を確保し、高出力かつ高信頼度の力検知素子を提供することである。【構成】 力検知素子1000は(110)面のシリコン単結晶40と結晶化ガラス製の力伝達ブロック60、台座70からなり、それぞれ静電接合により強固に固着している。シリコン単結晶40と力伝達ブロック60の接合面側のシリコン単結晶40の表面においてメサエッチングにより、ゲージ(Ga1,Ga2,Gb1,Gb2)、リード部(43)、電極部(44a1,44a2,44b1,44b2)がメサ底部より1〜3μm突出して形成されている。ゲージの受圧面積の縮小で高感度化を図り、メサ段差の調節によってストッパ構造を実現して耐破壊強度を確保する。
請求項（抜粋）：
圧縮力が加えられる面として(110)面またはこれと等価な結晶面を有するシリコン単結晶と、前記シリコン単結晶の前記結晶面と固着され、前記圧縮力をその結晶面に垂直に伝達する力伝達ブロックと、前記シリコン単結晶の、前記力伝達ブロックが固着された面とは別の面に固着され、このシリコン単結晶を支持する支持台座と、を具備する力検知素子であって、前記シリコン単結晶の、前記力伝達ブロックが固着された前記結晶面の表面には、力伝達ブロックによる圧縮力を受け、その圧縮力によって電気抵抗が変化するゲージが設けられ、前記ゲージは、前記結晶面の表面に段差を形成することによってその段差の底部より突出して設けられ、かつ、このゲージは、対向する2組の辺をもつ形状に配設されてホイートストンブリッジを構成し、このうちの1組のゲージの長手方向は<110>方向またはこれと等価な結晶方向になっており、他の1組のゲージの長手方向は<100>方向またはこれと等価な結晶方向になっており、前記ホイートストンブリッジの入力極に電流を流し、出力極より前記力伝達ブロックに作用させた圧縮力に比例した電圧出力を得ることを特徴とする力検知素子。
IPC (4件)：
G01L 9/04 101
, G01B 7/16
, G01L 1/18
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, G01B 7/16
, G01L 1/18
, H01L 29/84 A
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (1件)
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