特許
J-GLOBAL ID：200903048160024680
高周波インダクタ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石野 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-158614
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339197
出願日： 2005年05月31日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：
【課題】 従来例に比較して簡単な製造工程でかつ安価な製造コストで製造でき、しかも1枚の基板を用いて低損失で高いインダクタンスを有する高周波インダクタ素子を提供する。【解決手段】 図1の高周波インダクタ素子において、シリコン基板1の中央部に形成された凹部101の内部面に接地導体11が形成され、凹部101において後に除去される犠牲層12(図3)が充填された後、犠牲層12の中央部に巻状線路導体13が形成され、凹部101の開口面を覆うように絶縁支持膜14が形成される。当該誘電体支持膜14の中央部に巻状線路導体16が形成され、巻状線路導体13の一端と巻状線路導体16の一端とがスルーホール15を介して接続される一方、巻状線路導体13の他端は接続端子導体20に接続され、巻状線路導体16の他端は接続端子導体19に接続される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
凹部を有する基板と、
上記凹部の開口面を覆うように形成された第1の絶縁支持膜と、
上記第1の絶縁支持膜の下側に形成された第1の巻状線路導体と、
上記第1の絶縁支持膜の上側に形成され、上記第1の巻状線路導体の一端に接続された一端を有する第2の巻状線路導体とを備え、
上記第1の巻状線路導体の他端と、上記第2の巻状線路導体の他端とを接続端子とすることを特徴とする高周波インダクタ素子。
IPC (3件)：
H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01F 17/00
H01L27/04 L
, H01F17/00 B
5E070AA01
, 5E070AB04
, 5E070AB06
, 5E070AB07
, 5E070CB01
, 5E070CB12
, 5F038AZ04
, 5F038CD03
, 5F038EZ01
, 5F038EZ02
, 5F038EZ14
, 5F038EZ15
, 5F038EZ20
