高周波装置とその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：青山葆 , 河宮治 , 石野正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-039934
公開番号（公開出願番号）：特開2004-007424
出願日： 2003年02月18日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】従来技術に比較して、構造が簡単であって、製造工程が簡単であり、しかも伝送損失をさらに低減できる高周波装置とその製造方法を提供する。【解決手段】基板表面に凹部1aを有するシリコン基板1において、少なくとも凹部1aを含む基板上に接地導体膜2を形成した後、シリコン基板1の凹部1aの直上に空隙20を挟んでシリコン基板1上に誘電体支持膜3を形成する。次いで、誘電体支持膜3の表面の一部に配線導体膜4を形成する。これにより、インダクタンスデバイスなどの高周波装置を製造する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板表面に凹部を有する基板と、少なくとも上記凹部を含む上記基板上に形成された第1の配線導体と、上記基板の凹部の直上に空隙を挟んで上記基板上に形成された誘電体支持膜と、上記誘電体支持膜の表面の一部に形成された第2の配線導体とを備えたことを特徴とする高周波装置。

IPC (5件)：

H01P3/08 , H01P1/203 , H01P5/18 , H01P11/00 , H05K1/02

FI (6件)：

H01P3/08 , H01P1/203 , H01P5/18 F , H01P11/00 G , H01P11/00 K , H05K1/02 P

Fターム (17件)：

5E338AA18 , 5E338BB02 , 5E338BB19 , 5E338BB28 , 5E338BB63 , 5E338CC02 , 5E338CC05 , 5E338CD05 , 5E338EE14 , 5J006HB01 , 5J006HB13 , 5J006HB15 , 5J006HB22 , 5J006JA03 , 5J006LA01 , 5J006LA25 , 5J014CA56

引用特許：

審査官引用 (9件)

伝送線路およびパッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-052593 出願人：日本電信電話株式会社
集積回路エアブリッジ構造物およびその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-144375 出願人：ハリス・コーポレーション
ミリ波導波路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-317362 出願人：松下電器産業株式会社

全件表示

前のページに戻る