特許
J-GLOBAL ID：200903048194357247

単結晶の引上げ方法及びその装置

発明者：
高梨 啓一

高梨 啓一 について


出願人/特許権者：
三菱住友シリコン株式会社

三菱住友シリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-423040
公開番号（公開出願番号）：特開2005-179123
出願日： 2003年12月19日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】 補助加熱手段を用いた種結晶の融液への漬け込み時に、フュージョンリングと補助加熱手段の融液表面に映る鏡像とを識別して、種結晶の直径を精度良く測定する。【解決手段】 チャンバ11内に設けられた坩堝12に融液15が貯留され、坩堝内の融液から単結晶を引上げるために融液に接触させる種結晶23がシード引上げ手段18に吊下げられる。種結晶及び融液の固液界面近傍を加熱する補助加熱手段24が融液に接触した種結晶の周面を所定の間隔をあけて包囲する。上記固液界面近傍に発生するフュージョンリング及び補助加熱手段の融液表面に映る鏡像を撮影する2次元CCDカメラ28がチャンバ外に固液界面を臨むように設置される。この2次元CCDカメラの検出出力に基づいて画像処理手段32がフュージョンリング及び上記鏡像とを識別し、画像処理手段により識別されたフュージョンリングからコントローラ33が種結晶の直径を算出する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
チャンバ(11)内の坩堝(12)に貯留された融液(15)に種結晶(23)の先端部を接触させた後に、この種結晶(23)の周面を所定の間隔をあけて包囲する補助加熱手段(24)により前記種結晶(23)及び前記融液(15)の固液界面近傍を加熱しながら前記種結晶(23)を前記融液(15)に更に漬け込み、前記補助加熱手段(24)による前記種結晶(23)の加熱を停止した後に、ネックを形成することなく単結晶を引上げる単結晶の引上げ方法において、 前記チャンバ(11)外から前記固液界面近傍に発生するフュージョンリング(29)と前記補助加熱手段(24)の融液(15)表面に映る鏡像(31)とを2次元CCDカメラ(28)により撮影し、 前記2次元CCDカメラ(28)の撮影した前記フュージョンリング(29)と前記鏡像(31)とを識別し、 更に前記識別されたフュージョンリング(29)から前記種結晶(23)の直径を算出する ことを特徴とする単結晶の引上げ方法。
IPC (1件)：
C30B15/26
FI (1件)：
C30B15/26
Fターム (11件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077BE32 ,  4G077BE34 ,  4G077BE44 ,  4G077BE46 ,  4G077CF10 ,  4G077EG15 ,  4G077EH04 ,  4G077PF04 ,  4G077PF09
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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