特許

J-GLOBAL ID：200903048198242258

固体撮像装置

発明者： 横田 一秀
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-233758
公開番号（公開出願番号）：特開2006-054262
出願日： 2004年08月10日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：

【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、光の量子効率を向上させることができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】受光部31が形成された半導体基板30上に、酸化シリコン膜からなる低屈折率膜41と、低屈折率膜41よりも屈折率の高い窒化シリコン膜からなる高屈折率膜42とが積層されている。高屈折率膜42上には、配線層45が形成されている。光は、配線層45が形成された側とは反対側から入射する。このとき、屈折率の異なる低屈折率膜41と高屈折率膜42の膜厚を調整することにより、光の多重反射をコントロールし、半導体基板30を通過した光を受光部31へ再入射させる反射膜が構成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の第1面側に配線層が形成され、前記基板の第2面側から光が入射される固体撮像装置であって、 前記基板に形成された受光部と、 前記基板と前記配線層との間に形成された第1の膜と、 前記第1の膜と前記配線層との間に形成され、前記第1の膜よりも屈折率の高い第2の膜とを有し、 屈折率の異なる前記第1の膜および前記第2の膜によって、前記基板を通過した光を反射し前記受光部へ再入射させる反射膜が構成された 固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L27/14 D ,  H04N5/335 U

Fターム (18件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA19 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA50 ,  4M118GA02 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX41 ,  5C024GX24 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特許第2842273号
  
• 特許第3296352号
  
• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-339264   出願人：ソニー株式会社
• X-Yアドレス型固体撮像素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-210270   出願人：ソニー株式会社