特許
J-GLOBAL ID:200903048199564879
無鉛半田材料及びそれを用いた電子部品
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
早川 政名 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-310692
公開番号(公開出願番号):特開平10-180480
出願日: 1996年11月21日
公開日(公表日): 1998年07月07日
要約:
【要約】【課題】Sn基であって、Ni被膜を介在させて電子部材と基板を半田付けする際の接合性を向上し得る無鉛半田材料と、これを用いた電子部品を提供する。【解決手段】Fe,Niのうち少なくとも1種を0.01〜5.0重量%、及び残部がSnと不可避不純物からなる組成の無鉛半田材料とすることで、Ni被膜を介在させた半田付けに際して、半田付け性劣化度を向上させる事が出来た。
請求項(抜粋):
鉄(Fe)及びニッケル(Ni)のうち少なくとも1種を0.01〜5.0重量%、及び残部が錫(Sn)と不可避不純物からなる無鉛半田材料。
IPC (3件):
B23K 35/26 310
, B23K101:36
, B23K101:40
引用特許:
審査官引用 (7件)
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無ないし低含鉛半田合金
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-195401
出願人:日本アルミット株式会社
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特開平3-097888
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特開平2-034295
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