特許

J-GLOBAL ID：200903048278744424

太陽電池の製造方法

発明者： 中村 恒夫 ,  今中 崇雄 ,  南方 量二
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-170859
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344883
出願日： 2005年06月10日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：

【課題】 変換効率の高い太陽電池を安価に製造する方法を提供する。【解決手段】 本発明の太陽電池の製造方法は、第1の導電性を有するSi基板に第2の導電性を有するドーパントを拡散するpn接合形成工程と、Si基板の受光面に、チタン酸化膜を有する反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、Si基板の受光面に受光面電極を形成し、受光面の反対側の裏面に裏面電極を形成する電極形成工程とを備え、反射防止膜形成工程の後に水素処理工程を備えることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の導電性を有するSi基板に第2の導電性を有するドーパントを拡散するpn接合形成工程と、 前記Si基板の受光面に、チタン酸化膜を有する反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、 前記Si基板の受光面に受光面電極を形成し、前記受光面の反対側の裏面に裏面電極を形成する電極形成工程とを備え、 前記反射防止膜形成工程の後に水素処理工程を備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 A

Fターム (7件)：

5F051AA03 ,  5F051CB24 ,  5F051DA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭59-117276号公報
  
• 特開昭61-160980号公報
  
• 透明導電性酸化チタン膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-029198   出願人：三洋電機株式会社
• 薄膜の製造方法および太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-056888   出願人：シャープ株式会社