薄膜の製造方法および太陽電池

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-056888
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266194
出願日： 2003年03月04日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】高い変換効率を有する太陽電池を効率良く作製し得る薄膜の製造方法とその方法を用いて作製された薄膜を含む太陽電池を提供する。【解決手段】シリコン基板に水素を導入する工程と、シリコン基板の表面温度が350°C以上500°C以下となるようにシリコン基板を加熱する工程と、350°C以上500°C以下のシリコン基板の表面に薄膜の原料を含む溶液を噴霧する工程とを含む薄膜の製造方法である。ここで、シリコン基板に水素を導入する方法は、プラズマ法、フォーミングガスアニール法およびCat-CVD法からなる群から選択されたいずれか1つの水素を含むガスまたは水素ガスを用いる方法であり得る。また、本発明は、上記の薄膜の製造方法を用いて作製された薄膜を含む太陽電池に関する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板に水素を導入する工程と、シリコン基板の表面温度が350°C以上500°C以下となるようにシリコン基板を加熱する工程と、350°C以上500°C以下のシリコン基板の表面に薄膜の原料を含む溶液を噴霧する工程とを含む薄膜の製造方法。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (2件)：

H01L31/04 X , H01L31/04 A

Fターム (8件)：

5F051AA03 , 5F051CB13 , 5F051CB24 , 5F051CB30 , 5F051FA10 , 5F051GA04 , 5F051GA14 , 5F051HA03

引用特許：

審査官引用 (18件)

ヘテロ接合デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-346228 出願人：三洋電機株式会社
特開平2-120374
特開平4-039820

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