特許
J-GLOBAL ID:200903048285972882
常圧気相成長装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-248169
公開番号(公開出願番号):特開2000-077340
出願日: 1998年09月02日
公開日(公表日): 2000年03月14日
要約:
【要約】【課題】常圧気相成長装置において、均一に膜を形成できるようにする。【解決手段】所望の厚さの成膜を均等の厚さに分けて成膜する複数のディスパ-ジョンヘッド1を設け、ディスパ-ジョンヘッド1下の雰囲気温度を均一にし、しかも、搬送されるウェハ20の速度を測定し常にウェハの搬送速度を一定に維持することによって、成膜される膜厚のばらつきを無くす。
請求項(抜粋):
被成膜基板を一方向に搬送する搬送ベルトと、この搬送ベルトの上を覆うように配置される処理室と、前記被成膜基板の搬送方向に並べ前記処理室に搭載されるとともに前記被成膜基板に順次膜を堆積し所望の厚さの膜を形成する複数のディスパ-ジョンヘッドと、このディスパ-ジョンヘッドの前段および後段に配置されるとともに前記搬送ベルトを横切って加熱された不活性ガスを噴射するガスブロア-と、前記搬送ベルトの下部と接触する均熱板を介して前記被成膜基板を加熱するヒ-タと、このヒ-タの温度を制御するヒ-タコントロ-ラと、前記搬送ベルトを走行させるベルト駆動機構と、前記成膜基板の搬送速度を測定する速度測定器と、この速度測定器の測定値を読み取り前記ベルト駆動機構を制御し前記搬送ベルトの搬送速度を所望の速度に維持する駆動機構コントロ-ラとを備えることを特徴とする常圧気相成長装置。
IPC (3件):
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/52
FI (3件):
H01L 21/205
, C23C 16/44 F
, C23C 16/52
Fターム (14件):
4K030AA18
, 4K030GA12
, 4K030JA12
, 4K030KA23
, 4K030KA41
, 5F045AE29
, 5F045BB03
, 5F045BB08
, 5F045DP23
, 5F045EB15
, 5F045EE04
, 5F045EF01
, 5F045EM10
, 5F045GB15
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開昭62-158333
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特開昭61-019117
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特開平4-371582
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-149285
出願人:宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
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ベルト搬送装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-340972
出願人:富士ゼロックス株式会社
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