特許

J-GLOBAL ID：200903048303883280

半導体レーザの製造方法

発明者： 大西 俊一 ,  足立 秀人 ,  高森 晃
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-338173
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164969
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 共振器端面の光学損傷破壊(COD)を抑制し、高出力動作時の信頼性が改善された半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 共振器端面110が保護膜340によって被覆されている半導体レーザの製造方法であって、該共振器端面110に存在する汚染物を低ダメージで除去し、該共振器端面110をクリーニングするクリーニング工程と、クリーニングした該共振器端面110上に、低ダメージで該保護膜340を堆積する堆積工程と、を包含する半導体レーザの製造方法。

請求項（抜粋）：

共振器端面が保護膜によって被覆されている半導体レーザの製造方法であって、該共振器端面に存在する汚染物を低ダメージで除去し、該共振器端面をクリーニングするクリーニング工程と、クリーニングした該共振器端面上に、低ダメージで該保護膜を堆積する堆積工程と、を包含する半導体レーザの製造方法。

Fターム (7件)：

5F073AA84 ,  5F073CA05 ,  5F073CA14 ,  5F073CB20 ,  5F073DA33 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-213200   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平3-101183
  
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-322759   出願人：日本電信電話株式会社