特許

J-GLOBAL ID：200903048357900415

半導体装置及びその製造方法

発明者： 金子 明生 ,  関根 克行 ,  佐藤 基之 ,  犬宮 誠治 ,  江口 和弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-335966
公開番号（公開出願番号）：特開2005-108875
出願日： 2003年09月26日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】1種類の金属をnMOSとpMOSのゲート電極に用いた良好な半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の一態様の半導体装置は、半導体基板(101)と、4価金属酸化物または4価金属酸化物とSiO2との混合物または4価金属酸化物とSiONとの混合物を主成分とする材料から構成されているゲート絶縁膜(105)と、4〜5.5eVの仕事関数を有する金属からなるゲート電極(115)と、を備え、前記ゲート絶縁膜は、前記半導体基板上でnMOS構造をなす場合にBを、前記半導体基板上でpMOS構造をなす場合にP及びAsの少なくとも一方を含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 4価金属酸化物または4価金属酸化物とSiO2との混合物または4価金属酸化物とSiONとの混合物を主成分とする材料から構成されているゲート絶縁膜と、 4〜5.5eVの仕事関数を有する金属からなるゲート電極と、を備え、 前記ゲート絶縁膜は、前記半導体基板上でnMOS構造をなす場合にBを、前記半導体基板上でpMOS構造をなす場合にP及びAsの少なくとも一方を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L21/8238 ,  H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

FI (6件)：

H01L27/08 321D ,  H01L21/283 C ,  H01L21/316 X ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/58 G

Fターム (108件)：

4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB24 ,  4M104BB30 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB17 ,  5F048BB20 ,  5F048BF06 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG01 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH15 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC23 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE15 ,  5F140BE16 ,  5F140BE19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF13 ,  5F140BF15 ,  5F140BF16 ,  5F140BF17 ,  5F140BF18 ,  5F140BF21 ,  5F140BF24 ,  5F140BF35 ,  5F140BF37 ,  5F140BF42 ,  5F140BG04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG38 ,  5F140BG40 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC15 ,  5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-082614   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-326583   出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ
• ドープジルコニアまたはジルコニア様の誘電体膜トランジスタ構造およびその堆積方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-142471   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-082614   出願人：三菱電機株式会社