特許

J-GLOBAL ID：200903048454268502

パワーモジュール用基板及びその製造法

発明者： 桜庭 正美 ,  木村 正美 ,  高原 昌也 ,  田中 敏和
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 澤木 誠一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-052530
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242330
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 従来のパワーモジュール用基板及びその製造法においては、基板に金属を所定形状の回路面を有するようにエッチング処理により形成し、回路面にメッキ処理を施したものに半導体チップとしてのSiチップを半田を用いて搭載しているため半田づけの際に半田自体が流れたり、チップの位置がずれるという問題があった。【解決手段】 本発明においては、セラミックス基板と金属板との接合基板において金属上の半導体搭載部の厚さが、他の金属部分より薄くする。

請求項（抜粋）：

セラミックス基板と金属板との接合基板において金属上の半導体搭載部の厚さが、他の金属部分より薄いことを特徴とするパワーモジュール用基板。

FI (2件)：

H01L 23/12 F ,  H01L 23/12 J

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平4-103150
  
• セラミックス回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-072952   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-335350   出願人：富士電機株式会社
• 特開平4-103150
  
• 回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-269818   出願人：電気化学工業株式会社
• 特開平4-103150