特許

J-GLOBAL ID：200903048466743010

半導体装置の製造方法

発明者： 西井 勝則 ,  池田 義人 ,  正戸 宏幸 ,  井上 薫
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005011
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208435
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系半導体上に設けられたオーミック電極のコンタクト抵抗を低減して、高周波動作特性やパワー特性の優れた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 窒化ガリウム系半導体で構成される活性層4上にアルミニウムを有する金属層5を形成し、カーボングラファイトヒーターを用いた急熱急冷のアニール装置内で、水素雰囲気中、金属層5を600°Cで1分間アニーリングを行うことにより金属層5と活性層4とをなじませる。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系半導体層上にアルミニウムを有する金属層を形成し、前記金属層を水素を有する気体中でアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/28 301 L ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/80 M

Fターム (27件)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104GG04 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F041AA21 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GT03 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-207274   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開昭63-122179
  
• 特開平3-184377
  
• オーミック電極とその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-171260   出願人：古河電気工業株式会社