特許
J-GLOBAL ID:200903048501132665

ポジ型フォトレジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小栗 昌平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-169802
公開番号(公開出願番号):特開2002-131917
出願日: 2001年06月05日
公開日(公表日): 2002年05月09日
要約:
【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、デフォーカスラチチュードが広く、プロセス許容性及びラインエッジラフネスや解像力に優れ、あるいは露光マージンが改善され、現像欠陥の発生が軽減され、固形分を溶剤に溶かす時や経時保存時のパーティクルの発生を防止でき、経時保存による感度の変動を防止できるポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】特定の酸分解性樹脂と特定の光酸発生剤、さらに特定の溶剤または特定の化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
請求項(抜粋):
(A)下記一般式(I)で示される繰り返し構造単位および下記一般式(II)で示される繰り返し構造単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】【化2】一般式(I)中、R11〜R14は、各々独立に水素原子又は置換基を有しても良いアルキル基を表す。aは0または1である。一般式(II)中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。Aは、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。Wは、下記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造のうち少なくとも1つを表す。【化3】式中、R15は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R16〜R20は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R16〜R18のうち少なくとも1つ、もしくはR19、R20のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R21〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R21〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23、R25のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R26〜R29は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R26〜R29のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。
IPC (5件):
G03F 7/039 601 ,  C08F232/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
FI (5件):
G03F 7/039 601 ,  C08F232/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (38件):
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AK32R ,  4J100AL08Q ,  4J100AM33R ,  4J100AM35R ,  4J100AR09P ,  4J100AR11P ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03R ,  4J100BA11R ,  4J100BA12P ,  4J100BA16H ,  4J100BA20Q ,  4J100BA55R ,  4J100BB18R ,  4J100BC07R ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12Q ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100HA08 ,  4J100HA61 ,  4J100HC69 ,  4J100HE22 ,  4J100JA38
引用特許:
審査官引用 (4件)
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