特許
J-GLOBAL ID：200903048545798849
窒化チタン薄膜の作製方法及びCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241138
公開番号（公開出願番号）：特開平11-131233
出願日： 1998年08月13日
公開日（公表日）： 1999年05月18日
要約：
【要約】【課題】 TDAATと微小流量(10〜100sccm)の添加ガスとを用いて窒化チタン薄膜を作製する場合に、各種ガスの流量や流速を適切に定めることにより、アスペクト比の大きなコンタクトホールに対してもステップカバレッジの良好な成膜を可能にする。【解決手段】 TDAATの流量は0.004〜0.2g/minに、第1キャリアガスの流量は100〜1000sccmに、添加ガスの流量は10〜100sccmに、第2キャリアガスの流量は10〜500sccmに設定する。TDAATと第1キャリアガスの混合ガス(第1混合ガス)は第1噴出孔から反応容器内に供給し、添加ガスと第2キャリアガスの混合ガス(第2混合ガス)は第2噴出孔から反応容器内に供給する。反応容器内の圧力は0.1Pa〜15Paにする。第2混合ガスの流速は0.17m/sec以上に、第1噴出孔と第2噴出孔の中心間距離Lは1cm以上にするのが好ましい。
請求項（抜粋）：
テトラキスジアルキルアミノチタンとこれと反応する添加ガスとを反応容器内に供給して、所定温度に加熱した基体の表面上に窒化チタン薄膜を堆積する窒化チタン薄膜の作製方法において、次の(ア)〜(キ)の特徴を備える方法。(ア)テトラキスジアルキルアミノチタンの流量を0.004〜0.2g/minの範囲内に設定する。(イ)テトラキスジアルキルアミノチタンと混合する第1キャリアガスの流量を100〜1000sccmの範囲内に設定する。(ウ)テトラキスジアルキルアミノチタンと反応する添加ガスの流量を10〜100sccmの範囲内に設定する。(エ)添加ガスと混合する第2キャリアガスの流量を10〜500sccmの範囲内に設定する。(オ)テトラキスジアルキルアミノチタンと第1キャリアガスとを混合して、この第1混合ガスを第1噴出孔から反応容器内に供給する。(カ)添加ガスと第2キャリアガスとを混合して、この第2混合ガスを第2噴出孔から反応容器内に供給する。(キ)反応容器内の圧力を0.1Pa〜15Paに設定する。
IPC (5件)：
C23C 16/18
, C23C 16/34
, C23C 16/44
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
C23C 16/18
, C23C 16/34
, C23C 16/44 D
, H01L 21/285 C
, H01L 21/285 301 R
