特許
J-GLOBAL ID：200903048559383200

SiCエピタキシャル成膜装置およびこのエピタキシャル成膜装置を用いるSiC半導体装置の製造方法

発明者：
中村 俊一

中村 俊一 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-159644
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311542
出願日： 2007年06月18日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】エピタキシャル装置内のSiC粉塵がSiC基板上に落下するのを回避し、メモリ効果を抑制して多数回繰り返しエピタキシャル成長できるエピタキシャル成膜装置を提供する。【解決手段】軸方向端部に反応ガス流入口と排出口とを有し減圧可能な耐熱円筒管1内に、軸方向に沿って所定の長さのサセプタ3が、断熱材2を介して配置され、該サセプタ3の内側に設けられる反応室4空間内にSiC結晶基板5を載置するための複数の平板状支持基板5が相互に平行に上下方向に間隔を置いて搬出搬入可能な形態で設置され、前記サセプタ3の位置に対向する前記円筒管1の外側に誘導加熱装置を備え、前記複数の平板状支持基板5のうち、より上側の支持基板11が前記サセプタ3または断熱材2の端面からガス流の上流側へ、より多くはみ出すように設置されているエピタキシャルSiC成膜装置とする。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
軸方向端部に反応ガス流入口と排出口とを有し減圧可能な耐熱円筒管内に、該円筒管の軸方向に沿って所定の長さのサセプタが、前記円筒管を高温による軟化から保護するための断熱材を介して配置され、該サセプタの内側に設けられる反応室空間内にSiC結晶基板を載置するための複数の平板状支持基板が相互に平行に上下方向に間隔を置いて搬出搬入可能な形態で設置され、前記サセプタの位置に対向する前記円筒管の外側に前記サセプタを誘導加熱するための誘導加熱装置を備え、前記複数の平板状支持基板のうち、より上側の支持基板が前記サセプタまたは断熱材の端面からガス流の上流側へ、より多くはみ出すように設置されていることを特徴とするエピタキシャルSiC成膜装置。
IPC (8件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/36 ,  C30B 25/12 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/861
FI (13件)：
H01L21/205 ,  C30B29/36 A ,  C30B25/12 ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 D
Fターム (38件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077ED06 ,  4G077EG04 ,  4G077EG16 ,  4G077EG18 ,  4G077EG25 ,  4G077EG28 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA11 ,  4G077TA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TD01 ,  4G077TE02 ,  4G077TF01 ,  4G077TF04 ,  4G077TF05 ,  4G077TF06 ,  4G077TG04 ,  4G077TK01 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045BB15 ,  5F045CA05 ,  5F045DP04 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB06 ,  5F045EC01
引用特許：
出願人引用 (3件)

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