CVD装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-213465
公開番号（公開出願番号）：特開2006-028625
出願日： 2004年07月21日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】サセプタとしてカーボン材料を用いる場合であれ、半導体基板上にエピタキシャル膜を均一に、しかも安定して成膜することのできるCVD装置を提供する。【解決手段】カーボン材料からなるサセプタ(11、12)を容器10内に備え、同じく容器10内に設置された炭化珪素(SiC)からなる半導体基板70を下部サセプタ12が加熱されることに基づき加熱しつつ、同容器10内に水素ガス(H2)を含有するキャリアガスおよびシランガス(SiH4)およびプロパンガス(C3H8)からなる原料ガスを供給して半導体基板70の表面にエピタキシャル膜を成膜する。このとき下部サセプタ12の少なくとも半導体基板70と対向する面には、例えば熱分解炭素膜等、キャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材16をあらかじめ成膜しておく。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

カーボン材料からなるサセプタを容器内に備え、同じく容器内に設置された基板を前記サセプタが加熱されることに基づき加熱しつつ、同容器内にキャリアガスおよび原料ガスを供給して前記基板の表面にエピタキシャル膜を成膜せしめるCVD装置であって、前記サセプタの少なくとも前記基板と対向する面には、前記キャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材が成膜されてなることを特徴とするCVD装置。

IPC (4件)：

C23C 16/44 , C23C 16/42 , H01L 21/205 , H01L 21/683

FI (4件)：

C23C16/44 B , C23C16/42 , H01L21/205 , H01L21/68 N

Fターム (29件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030GA01 , 4K030GA06 , 4K030KA24 , 4K030KA46 , 5F031CA02 , 5F031HA02 , 5F031HA46 , 5F031HA59 , 5F031MA28 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AD18 , 5F045BB15 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045EK03 , 5F045EM09

引用特許：

出願人引用 (1件)

炭化珪素製造方法、炭化珪素及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-242171 出願人：ホーヤ株式会社

審査官引用 (5件)

炭化珪素膜のCVD方法、CVD装置及びCVD装置用サセプター
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-274349 出願人：株式会社東芝, 独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社日立製作所, 三洋電機株式会社
ヒータ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-149053 出願人：東芝機械株式会社
半導体結晶の製造方法およびこれを利用する製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-304642 出願人：財団法人電力中央研究所

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