特許
J-GLOBAL ID：200903048570312098

チップ型半導体レーザ装置

発明者：
中村 重樹

中村 重樹 について

, 
中村 篤人

中村 篤人 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339222
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156380
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 材料コスト、製造コストを低減することができ、表面実装化も可能なチップ型半導体レーザ装置を提供すること。【解決手段】 平面略矩形状の樹脂基台1の上に円盤状の樹脂ステム2を備え、樹脂ステム2に半導体レーザ素子3とPINフォトダイオード素子4を搭載し、樹脂ステム2の上面に半導体レーザ素子3と結線する第1のリード端子8aの一端、PINフォトダイオード素子4と結線する第2のリード端子8bの一端が突出しているとともに、第1及び第2のリード端子8a,8bの他端が樹脂基台1の側面から突出し、チップ型半導体レーザ装置を構成している。
請求項（抜粋）：
ステムに搭載した半導体レーザ素子をレンズ付きキャップで覆った半導体レーザ装置であって、平面略矩形状の樹脂基台と、前記樹脂基台の上に円盤状の樹脂ステムを備え、前記樹脂ステムの上面に半導体レーザ素子と結線するリード端子の一端が突出しているとともに、前記リード端子の他端が前記樹脂基台の側面から突出している、若しくは前記樹脂基台の底面に露出していることを特徴とするチップ型半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/022 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01S 5/022 ,  H01L 23/02 F ,  H01L 23/12 S
Fターム (8件)：
5F073BA01 ,  5F073BA04 ,  5F073FA05 ,  5F073FA13 ,  5F073FA23 ,  5F073FA27 ,  5F073FA29 ,  5F073FA30
引用特許：
審査官引用 (3件)

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