特許
J-GLOBAL ID：200903048584892836

半導体装置の製造方法

発明者：
糸賀 隆志

糸賀 隆志 について

, 
山本 義宏

山本 義宏 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-206111
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056917
出願日： 2003年08月05日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】絶縁基板上に、転写により形成された単結晶Si薄膜トランジスタと、絶縁基板上で形成された多結晶Si薄膜トランジスタとを有する半導体装置において、多結晶Si薄膜を形成するためのレーザ光照射による単結晶Si薄膜トランジスタの損傷を防止する。【解決手段】レーザ光照射時に、レーザ光の光路の一部にマスクを挿入することにより、単結晶Si薄膜トランジスタ16aに照射されるレーザ光を遮蔽する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に、該絶縁基板に転写されてなる転写トランジスタと、該絶縁基板上で形成される成膜トランジスタとが混在する半導体装置の製造方法において、上記成膜トランジスタは、絶縁基板上に上記転写トランジスタを転写した後に形成されるものであり、 上記成膜トランジスタの形成工程では、上記絶縁基板上に非晶質Si薄膜を形成する工程と、上記非晶質Si薄膜にエネルギビームを照射することにより多結晶Si薄膜に改質する工程とを含み、 上記エネルギビームの照射は、上記転写トランジスタの領域を避けて照射されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (7件)：
H01L27/12 Z ,  H01L27/12 B ,  H01L27/12 R ,  H01L21/02 B ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 612B
Fターム (35件)：
5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL06 ,  5F110HM15 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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