半導体デバイスのレーザー処理方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-332572
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227855
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】液晶ディスプレイ装置となるべき半導体のアニールの際に、周辺回路領域と画素領域とに配置される薄膜トランジスタを必要な特性に応じて作り分ける技術を提供する。【構成】半導体薄膜に対するレーザー光の照射によるアニール工程において、部分的にマスクを用いてレーザー光を選択的に照射する。例えば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の作製において、周辺回路領と画素領域とに対して、それぞれ異なる条件でレーザー光を照射するために、マスクを用いて、必要とする照射エネルギー密度でレーザー光を照射する。こうして、必要とする結晶性を選択的に有する結晶性珪素膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

同一基板上に集積化された半導体デバイスの作製工程において、必要とする半導体特性に合わせて、異なる照射エネルギーで、レーザー光を前記基板に選択的に照射する処理を行うことを特徴とする半導体デバイスのレーザー処理方法。

IPC (9件)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01S 3/00 , H01S 3/081 , H01S 3/104

FI (9件)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 21/268 Z , H01L 27/12 R , H01S 3/00 B , H01S 3/081 , H01S 3/104 , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (8件)

液晶表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-211248 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-370925
薄膜状半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-275412 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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