特許

J-GLOBAL ID：200903048632874993

超微結晶磁性膜及びその製造方法

発明者： 島田 寛 ,  北上 修 ,  加藤 和照 ,  李 衛東
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-269634
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115729
出願日： 1995年10月18日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 高電気抵抗且つ軟磁性を示す超微結晶磁性膜を比較的低い温度下で製造できる様にし、かくして有機フィルム等の比較的耐熱性の低い基材上での超微結晶磁性膜の作製を可能ならしめる。【解決手段】 セラミックス相と強磁性超微結晶相とを含んでなる超微結晶磁性膜であって、セラミックス相がO,N,Cのうちの少なくとも1つとこれらに対する親和性が強磁性超微結晶相を構成する元素Fe,Coよりも高い少なくとも2つのセラミックス相構成元素B,Al,Si,Zr,Hfとを含んで構成されており、セラミックス相中の強磁性超微結晶相の分散状態が制御されて、電気抵抗率200[μΩcm]以上且つ保磁力1.5[Oe]以下とされている。

請求項（抜粋）：

セラミックス相と強磁性超微結晶相とを含んでなる超微結晶磁性膜であって、前記セラミックス相が酸素、窒素及び炭素のうちの少なくとも1つとこれらに対する親和性が前記強磁性超微結晶相を構成する元素よりも高い少なくとも2つのセラミックス相構成元素とを含んで構成されていることを特徴とする、超微結晶磁性膜。

IPC (2件)：

H01F 10/14 ,  H01F 41/18

FI (2件)：

H01F 10/14 ,  H01F 41/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁性薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-224438   出願人：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
• 一軸磁気異方性薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-224439   出願人：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所