特許
J-GLOBAL ID：200903048686587817
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
前田 実
, 山形 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-313748
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172580
出願日： 2003年09月05日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】 柱状電極部分の強度が十分に高く、且つ、半田接合部に熱膨張の差に起因するクラックが発生することを防止した、信頼性の高いWCSP構造の半導体装置を提供する。【解決手段】 表面に電極パッド3が形成された半導体チップ1と、該半導体チップの表面上に形成され、頂面と側面とを有し、前記電極パッドに電気的に接続された複数の柱状電極5と、記柱状電極の頂面が露出するように前記半導体チップの表面と前記柱状電極の側面とを覆う封止樹脂とを含む半導体装置において、前記封止樹脂が、前記半導体チップの表面上に形成された第1の層6と、該第1の層の表面に形成され前記第1の層よりも高い弾性率を有する第2の層7とで構成し、前記第1の層の膜厚を、前記第2の層の膜厚の3.5倍から8倍の範囲内に設定する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に設けられた接続パッドに電気的に接続された複数の柱状電極の先端部分が該半導体基板の表面上に形成された封止層の表面から露出している半導体装置において、
前記封止層が、前記半導体基板の表面上に形成された低弾性樹脂層と該低弾性樹脂層の表面に形成され該低弾性樹脂層よりも高い弾性率を有する高弾性樹脂層とからなり、
前記高弾性樹脂層が5μmから45μmの範囲の厚さを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/92 602L
, H01L23/12 501Z
, H01L21/92 603G
