特許
J-GLOBAL ID：200903079222315272
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-119616
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118876
出願日： 2000年04月20日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 柱状電極を有する半導体装置に関し、熱応力に対して優れた耐久性のある半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 複数の電極パッド12を有する半導体素子14と、前記複数の電極パッドに接続された複数の柱状電極16と、半導体素子及び柱状電極を覆う樹脂層18と、柱状電極に電気的に接続されるように樹脂層の表面に配置された外部端子20とを備え、柱状電極16は、半導体素子の電極パッドから延びるワイヤ部分16aと、外部端子から延び且つワイヤ部分よりも大きい断面積を有する膨大部分16bとを含む構成とする。
請求項（抜粋）：
複数の電極パッドを有する半導体素子と、前記複数の電極パッドに接続された複数の柱状電極と、前記半導体素子及び前記柱状電極を覆う樹脂層と、前記柱状電極に電気的に接続されるように前記樹脂層の表面に配置された外部端子とを備え、前記柱状電極は、前記半導体素子の電極パッドから延びるワイヤ部分と、前記外部端子から延び且つ該ワイヤ部分よりも大きい断面積を有する膨大部分とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L 21/92 602 L
, H01L 21/92 602 D
, H01L 21/92 602 G
, H01L 21/92 604 K
, H01L 23/12 L
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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