特許
J-GLOBAL ID：200903048695137670

半導体装置の製造方法

発明者：
古谷 晃

古谷 晃 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-012875
公開番号（公開出願番号）：特開2009-176886
出願日： 2008年01月23日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】露出した面に形成された凹部側壁の凹凸を低減して、凹部の側壁の表面荒れが原因の半導体装置の特性劣化を防ぐ。【解決手段】露出した面に凹部104が形成された基板(100)表面側から、基板の表面に対して斜めの方向からガスクラスタイオンビーム200を照射することにより凹部104の側壁にガスクラスタイオンビーム200を照射する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
露出した面に凹部が形成された基板の表面側から、前記基板の表面に対して斜めの方向からガスクラスタイオンビームを照射することにより前記凹部の側壁に前記ガスクラスタイオンビームを照射する工程を含む半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/302
FI (3件)：
H01L21/88 B ,  H01L21/90 A ,  H01L21/302 201B
Fターム (41件)：
5F004AA01 ,  5F004AA09 ,  5F004AA11 ,  5F004BA11 ,  5F004BA17 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ92 ,  5F033WW00 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX10
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM