特許
J-GLOBAL ID：200903027690807352

相互接続バイアを改善するためのGCIB処理および改善された相互接続バイア

発明者：
スキナー,ウィスリー,ジェイ.

スキナー,ウィスリー,ジェイ. について

, 
ハウタラ,ジョン,ジェイ.

ハウタラ,ジョン,ジェイ. について


出願人/特許権者：
エピオン コーポレイション

エピオン コーポレイション について


代理人 (2件)： 廣江 武典 ,  宇野 健一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-549583
公開番号（公開出願番号）：特表2005-512312
出願日： 2002年10月11日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
混合ガスからなるガスクラスタイオンを用いる反応性ガスクラスタイオンビーム処理によって、集積回路(900)における電気的相互接続バイアおよび/またはトレンチの底部をクリーニングおよび/またはエッチングし、これによって、従来の処理により得られてきたものよりも、接触抵抗が小さく信頼性が高い相互接続構造(902)を形成する。一実施例において、電気的相互接続バイア構造(902)に、誘電性または高抵抗の拡散バリア材料(702)を用いる。
請求項（抜粋）：
基板内部を通って基部または底部まで延びる、トレンチやバイアのようなリセスを処理する方法であって、ガスクラスタイオンビームを前記リセスの内部を通して前記基部または底部に直接あてるステップよりなることを特徴とするリセスを処理する方法。
IPC (2件)：
H01L21/302 ,  H01L21/768
FI (2件)：
H01L21/302 201B ,  H01L21/90 A
Fターム (28件)：
5F004AA09 ,  5F004BA11 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB04 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM02 ,  5F033NN05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ96 ,  5F033WW05 ,  5F033XX09
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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