薄膜半導体の製造方法およびその製造方法により製造された薄膜トランジスタ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：曾我道照 , 曾我道治 , 古川秀利 , 鈴木憲七 , 梶並順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-025215
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216600
出願日： 2005年02月01日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：

【課題】多結晶シリコン表面を酸化してゲート絶縁膜を形成する酸化工程に先だって、ガスクラスタイオンビームを多結晶シリコン表面に照射し、表面凹凸を平坦化するとともに、多結晶シリコン表層部の結晶を破壊してアモルファスシリコン化する工程を加えることにより、酸化工程において、平坦なゲート絶縁膜を形成でき、耐電圧の向上が図られ、かつ、シリコンの酸化速度が速められ、プロセス時間の短縮が図られる薄膜半導体の製造方法を得る。【解決手段】絶縁基板1上にアモルファスシリコン層2を形成する工程と、アモルファスシリコン層2をアニールして多結晶シリコン層3を形成する工程と、多結晶シリコン層3の表面にガスクラスタイオンビームを照射する工程と、ガスクラスタイオンビームが照射された多結晶シリコン層3の表面に酸素を含む雰囲気を作用させて酸化シリコン層5を形成する工程とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

多結晶シリコンを半導体層とする薄膜半導体の製造方法において、絶縁基板上にアモルファスシリコン層を形成する工程と、上記アモルファスシリコン層をアニールして多結晶シリコン層を形成する工程と、上記多結晶シリコン層の表面にガスクラスタイオンビームを照射する工程と、上記ガスクラスタイオンビームが照射された上記多結晶シリコン層の表面に酸素を含む雰囲気を作用させて酸化シリコン層を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268

FI (6件)：

H01L29/78 617V , H01L21/20 , H01L21/268 F , H01L29/78 627G , H01L29/78 627A , H01L29/78 617U

Fターム (76件)：

5F110AA12 , 5F110AA16 , 5F110AA18 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110FF35 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ13 , 5F110NN02 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP08 , 5F110PP23 , 5F110PP38 , 5F110QQ19 , 5F152AA02 , 5F152AA03 , 5F152AA13 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC06 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD16 , 5F152CE05 , 5F152CE12 , 5F152CE13 , 5F152CE14 , 5F152CE16 , 5F152CE35 , 5F152CE42 , 5F152CE44 , 5F152CF13 , 5F152CG13 , 5F152DD02 , 5F152DD05 , 5F152EE02 , 5F152FF02 , 5F152FF03 , 5F152FF06 , 5F152FF08 , 5F152FF11 , 5F152FF19 , 5F152FF21 , 5F152FF28 , 5F152FF41 , 5F152FF47 , 5F152FG18 , 5F152FG19 , 5F152FG23 , 5F152FH03 , 5F152FH04 , 5F152FH05

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体膜の成形方法及び半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-222098 出願人：石川島播磨重工業株式会社

審査官引用 (6件)

特開平3-153080
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-215643 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
レーザを用いた多結晶膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-314736 出願人：住友重機械工業株式会社

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