半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-186832
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031741
出願日： 1997年07月11日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】 CMP法の本質的な特性であるパターン依存性から来るプロセスの不安定性を補完し安定した実用的な埋め込み素子分離構造の形成を可能とする。【解決手段】半導体基板上に溝構造を有し、その溝内に絶縁物を形成し素子分離領域として用いる半導体装置の製造方法において、溝内の絶縁物を形成する際にともに形成された溝外の絶縁物を除去する,CMP法による研磨工程と、研磨工程後に、素子領域保護層を覆う絶縁物を除去するエッチング工程と、しかる後に前記素子領域保護層を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に溝構造を有し、その溝内に絶縁物を形成し素子分離領域として用いる半導体装置の製造方法において、前記溝内の絶縁物を形成する際にともに形成された溝外の絶縁物を除去する,CMP法による研磨工程と、前記研磨工程後に、素子領域保護層を覆う絶縁物を除去するエッチング工程と、しかる後に前記素子領域保護層を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/76 , H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/76 L , H01L 21/304 321 M , H01L 21/304 321 S , H01L 21/306 M

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭59-119739
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-135454 出願人：富士通株式会社
特開昭63-081943

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審査官引用 (4件)

特開昭59-119739
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-135454 出願人：富士通株式会社
特開昭63-081943

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