特許
J-GLOBAL ID：200903048710189151
セラミック基板上への金属溶射皮膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-277960
公開番号（公開出願番号）：特開2000-103690
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 セラミック基板に施工する金属溶射皮膜の密着性を向上する。【解決手段】 本発明の金属溶射皮膜形成方法においては、母材1の表面3上にセラミック溶射皮膜5を形成して下地処理膜とし、セラミック溶射皮膜5の外表面7の上に溶射によりSUS316溶射被膜を形成する。
請求項（抜粋）：
セラミック基板の表面上に同質の材料を用いて下地処理膜を形成し、同下地処理膜の外面上に溶射により金属被膜を形成することを特徴とするセラミック基板上への金属溶射皮膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C04B 41/90 C
, C04B 41/88 K
