特許
J-GLOBAL ID:200903048715973551

炭素膜とそれを用いた電界放出型冷陰極及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 詔男 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-105657
公開番号(公開出願番号):特開2001-229807
出願日: 2000年02月18日
公開日(公表日): 2001年08月24日
要約:
【要約】【課題】 エミッタである炭素膜の全面にエミッションポイントを形成することにより、エミッション電流密度が高まる炭素膜とそれを用いた電界放出型冷陰極及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の炭素膜2は、円錐状または角錐状の針状炭素層2bの上に、線状炭素層2cを形成したことを特徴とする。
請求項(抜粋):
円錐状または角錐状の針状炭素層の上に、線状炭素層を形成してなることを特徴とする炭素膜。
IPC (4件):
H01J 1/304 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26 ,  H01J 9/02
FI (4件):
C01B 31/02 101 Z ,  C23C 16/26 ,  H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 F
Fターム (15件):
4G046CA02 ,  4G046CB01 ,  4G046CB08 ,  4G046CC02 ,  4G046CC03 ,  4G046CC06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030CA01 ,  4K030CA11 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA11
引用特許:
審査官引用 (2件)

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